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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PN2000 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/105頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2030K |
| 代理商： | PN2000 |
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P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 30 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 40 V, I
E
= 0
V
CB
= 40 V, I
E
= 0, T
A
= 75
°
C
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
60
80
5.0
V
V
V
nA
μ
A
nA
50
5.0
25
I
EBO
Emitter Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 30 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 150 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 150 mA
40
40
120
0.25
1.1
V
CE(
sat
)
V
BE(
on)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Input Capacitance
Small-Signal Current Gain
C
ob
C
ib
h
fe
V
CB
= 10 V, f = 1.0 MHz
V
EB
= 0.5 V, f = 1.0 MHz
I
C
= 50 mA, V
CE
= 10 V,
f = 20 MHz
20
80
30
pF
pF
3.0
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| PN2000A | |
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| PN200A | PNP General Purpose Amplifier |
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參數(shù)描述 |
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