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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PN2000 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/105頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2030K |
| 代理商： | PN2000 |
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P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA= 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
CES
Collector Cutoff Current
I
EBO
Emitter Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
C
obo
Output Capacitance
NF
Noise Figure
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
I
C
= 10
μ
A, I
B
= 0
I
C
= 1 mA, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 60 V
V
CE
= 40 V
V
EB
= 4 V
75
45
6.0
V
V
V
nA
nA
nA
50
50
50
I
C
= 100
μ
A, V
CE
= 1.0 V
100
100A
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
100
100A
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 150 mA, V
CE
= 5.0 V*
100
100A
80
240
100
300
100
100
100
450
600
350
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 200 mA, I
B
= 20 mA*
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 200 mA, I
B
= 20 mA*
0.2
0.4
0.85
1.0
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
CE
= 20 V, I
C
= 20 mA
V
CB
= 5.0 V, f = 1.0 MHz
I
C
= 100
μ
A, V
= 5.0 V,
100
R
G
= 2.0 k
, f = 1.0 kHz
100A
250
MHz
pF
dB
dB
4.5
5.0
4.0
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
10
20
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
30
50
100
200 300
500
0
100
200
300
400
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce = 5V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
400
0.1
0.2
0.3
0.4
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25 °C
- 40 °C
125 °C
β
= 10
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