參數(shù)資料
型號(hào)： NESG2030M04-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： npn型硅鍺高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 151K
代理商： NESG2030M04-T2
NESG2030M04
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
PACKAGE OUTLINE M04
FLAT LEAD 4-PIN THIN TYPE SUPER MINIMOLD
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
4
1
3
2
2.05–0.1
1.25–0.1
+0.1
-0.06
+0.1
-0.05
0.40
+0.1
-0.05
0.30
(Leads 1, 3, 4)
2.0 –0.1
1.25
1.30
0.60
0.65
0.59–0.05
0.11
0.65
0.65
T
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQ.
(GHz)
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
NF
MIN
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.7
1.9
2.0
2.2
2.4
2.5
2.7
3.0
3.5
4.0
4.5
0.77
0.77
0.78
0.78
0.79
0.79
0.80
0.81
0.82
0.84
0.85
0.87
0.89
0.91
0.93
0.98
1.06
1.15
1.26
22.62
21.79
21.03
20.33
19.69
19.10
18.56
18.05
17.13
16.31
15.94
15.26
14.64
14.36
13.83
13.12
12.12
11.31
10.63
0.440
0.433
0.426
0.418
0.410
0.402
0.394
0.386
0.372
0.359
0.354
0.345
0.340
0.338
0.338
0.342
0.354
0.354
0.325
22.0
25.3
28.6
32.0
35.5
39.0
42.6
46.3
54.0
62.1
66.3
74.9
83.6
87.9
96.4
108.6
126.4
141.4
155.7
0.21
0.21
0.20
0.20
0.19
0.19
0.18
0.18
0.17
0.16
0.16
0.15
0.14
0.14
0.13
0.12
0.11
0.09
0.08
V
CE
= 2 V, I
C
= 10 mA
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.7
1.9
2.0
2.2
2.4
2.5
2.7
3.0
3.5
4.0
4.5
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.7
1.9
0.95
0.95
0.95
0.95
0.95
0.95
0.96
0.96
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.03
1.06
1.12
1.19
1.27
24.28
23.43
22.65
21.93
21.27
20.65
20.08
19.54
18.56
17.70
17.30
16.56
15.89
15.58
15.00
14.23
13.13
12.23
11.48
0.264
0.261
0.257
0.253
0.249
0.244
0.239
0.234
0.226
0.219
0.216
0.213
0.213
0.214
0.219
0.229
0.249
0.258
0.243
18.6
21.8
25.1
28.5
32.0
35.6
39.3
43.2
51.5
60.4
65.0
74.6
84.2
88.9
98.1
108.6
110.7
142.4
156.3
0.18
0.18
0.18
0.17
0.17
0.17
0.17
0.16
0.16
0.15
0.15
0.14
0.14
0.13
0.13
0.12
0.11
0.10
0.10
1.26
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
1.26
25.33
24.45
23.65
22.91
22.23
21.60
21.01
20.46
19.46
18.57
0.082
0.081
0.079
0.076
0.074
0.071
0.068
0.065
0.061
0.062
14.2
17.4
20.9
24.9
29.4
34.5
40.4
47.1
63.0
81.1
0.17
0.17
0.17
0.17
0.17
0.16
0.16
0.16
0.15
0.15
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(CONT')
FREQ.
(GHz)
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
NF
MIN
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
2.0
2.2
2.4
2.5
2.7
3.0
3.5
4.0
4.5
1.26
1.27
1.28
1.28
1.30
1.32
1.36
1.42
1.48
18.16
17.40
16.71
16.39
15.79
14.97
13.81
12.84
12.02
0.064
0.072
0.083
0.090
0.105
0.128
0.159
0.175
0.169
90.1
106.5
119.5
124.8
133.5
143.2
154.7
164.5
176.7
0.15
0.15
0.14
0.14
0.14
0.13
0.13
0.12
0.12
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NESG2030M16 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NESG2030M16-A 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NESG2030M16-T3-A 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NESG2031M05 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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