參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9958
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： NDS9958
NDS9958.SAM
Typical Electrical Characteristic:
N & P-Channel
(continued)
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
10%
PULSE WIDTH
Figure 25. N or P-Channel
Switching Test Circuit
Figure 26. N or P-Channel
Switching Waveforms
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
20
± V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
±
D
V = ±20V
SINGLE PULSE
T = 25°C
1s
10s
DC
100ms
10ms
1ms
RDS(ON) LIMIT
Figure 23. Maximum Safe Operating Area.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1c
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 24. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS9959 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.0A，50V，0.3Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.0A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
NDT014L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.8A，60V，0.2Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.8A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
NDT2955 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.5A，-60V，0.3Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-2.5A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
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參數(shù)描述
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NDS9959 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS9959_Q 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDSC1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSC3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
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