參數(shù)資料
型號： NDS9958
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 360K
代理商： NDS9958
NDS9958.SAM
-5
-4
-3
-2
-1
0
-20
-15
-10
-5
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = -10V
D
-4.0
-6.0
-5.0
-4.5
-7.0
-5.5
-8.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
D
V = -10V
GS
I = -3.5A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.0V
-10
-6.0
-5.0
-4.5
-5.5
-8.0
-7.0
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = -10V
R
D
Typical Electrical Characteristics
:
P-Channel
Figure 12. On-Region Characteristics.
Figure 13. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 14. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 15. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 17. Gate Threshold Variation with
Temperature.
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
TJ
25°C
125°C
Figure 16. Drain Current Variation with
Gate Voltage and Temperature
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS9959 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.0A，50V，0.3Ω）(雙N溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流2.0A, 漏源電壓50V，導通電阻0.3Ω）)
NDT014L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.8A，60V，0.2Ω）(N溝道邏輯增強型場效應(yīng)管（漏電流2.8A, 漏源電壓60V，導通電阻0.2Ω）)
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導通電阻0.2Ω）)
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
NDT2955 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.5A，-60V，0.3Ω）(P溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流-2.5A, 漏源電壓-60V，導通電阻0.3Ω）)
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參數(shù)描述
NDS9959 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS9959 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS9959_Q 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDSC1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSC3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
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