參數資料
型號： NDS9958
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數： 5/12頁
文件大小： 360K
代理商： NDS9958
NDS9958.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 3.5A
V = 10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
300
500
1000
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V =10V
125°C
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
相關PDF資料
PDF描述
NDS9959 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.0A，50V，0.3Ω）(雙N溝道增強型場效應管（漏電流2.0A, 漏源電壓50V，導通電阻0.3Ω）)
NDT014L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.8A，60V，0.2Ω）(N溝道邏輯增強型場效應管（漏電流2.8A, 漏源電壓60V，導通電阻0.2Ω）)
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導通電阻0.2Ω）)
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
NDT2955 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.5A，-60V，0.3Ω）(P溝道增強型場效應管（漏電流-2.5A, 漏源電壓-60V，導通電阻0.3Ω）)
相關代理商/技術參數
參數描述
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NDSC1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSC3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
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