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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX28F160C3BXAC-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M-BIT [1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, MO-207, CSP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 429K |
| 代理商： | MX28F160C3BXAC-90 |
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37
P/N:PM0867
MX28F160C3T/B
REV. 1.2, MAR. 17, 2004
Table 9-3. CFI Mode: Device Geometry Data Values
Description
Device size (2
n
bytes)
Flash device interface code (asynchronous x16)
Address h
27
28
29
2A
2B
2C
Data h
0015
0001
0000
0000
0000
0002
Maximum number of bytes in write buffer=2
n
(not supported)
Number of erase sector regions within device (one or more continuous
same-size erase sectors at one sector region)
T B
1E 07
00 00
00 20
01 00
T B
07 1E
00 00
20 00
00 01
Erase Sector Region 1 information
[2E,2D] = number of same-size sectors in region 1-1
[30, 2F] = region erase sector size in multiples of 256-bytes
2D
2E
2F
30
Erase Sector Region 2 information
[32,31] = number of same-size sectors in region 2-1
[34,33] = region erase sector size in multiples of 256-bytes
31
32
33
34
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PDF描述 |
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