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參數(shù)資料
| 型號： | MX28F160C3BXAC-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M-BIT [1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, MO-207, CSP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 27/44頁 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | MX28F160C3BXAC-90 |
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27
P/N:PM0867
MX28F160C3T/B
REV. 1.2, MAR. 17, 2004
6.2.6 DC Characteristics
VCC 2.7V-3.6V
VCCQ 2.7V-3.6V
Note
Typ.
1,2
Sym.
Parameter
Unit
Test Conditions
Max.
±
1
ILI
Input Load Current
uA
VCC=VCC Max. ; VCCQ=VCCQ Max.
VIN=VCCQ or GND
VCC=VCC Max. ; VCCQ=VCCQ Max.
VIN=VCCQ or GND
VCC=VCC Max. ; CE=RP=VCCQ
or during Program/Erase Suspend
WP=VCCQ or GND
VCC=VCC Max; VCCQ=VCCQ Max
VIN=VCCQ or GND
RP=GND
±
0.2V
VCC=VCC Max; VCCQ=VCCQ Max
OE=VIH, CE=VIL, f=5MHz, IOUT=0mA
Inputs=VIL or VIH
RP=GND
±
0.2V
VPP < VCC
VPP < VCC
VPP > VCC
VPP=VPP1, Program in Progress
VPP=VPP2(12V), Program in Progress
VPP=VPP1, Erase in Progress
VPP=VPP2(12V), Erase in Progress
CE=VCC,
Program or Erase Suspend in Progress
ILO
Output Leakage
Current
VCC Standby Current
1,2
0.2
±
10
uA
ICCS
1
7
15
uA
ICCD
VCC Power-Down
Current
1,2
7
15
uA
ICCR
VCC Read Current
1,2,3
9
18
mA
IPPD
VPP Deep Power-
Down Current
VPP Read Current
1
0.2
5
uA
IPPR
1,4
2
50
18
10
21
16
7
±
15
200
55
30
45
45
15
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
ICCW+
IPPW
ICCE+
IPPE
ICCES
or
ICCWS
VIL
VIH
VOL
VCC+VPP Program
Current
VCC+VPP Erase
Current
VCC Program
or Erase Suspend
Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
1,4
1,4
1,4
-0.4
2.0
-0.1
VCC*0.22V
VCCQ+0.3V
0.1
V
V
V
VCC=VCC Min, VCC=VCCQ Min
IOL=100uA
VCC=VCC Min, VCC=VCCQ Min
IOH=-100uA
Complete Write Protection
VOH
Output High Voltage
VCCQ
-0.1V
V
VPPLK
VPP1
VPP2
VLKO
VPP Lock-Out Voltage
VPP during Program/
Erase Operations
VCC Prog/Erase
Lock Voltage
VCCQ Prog/Erase
Lock Voltage
6
6
6
1.0
3.6
12.6
V
V
V
V
1.65
11.4
1.5
VLKO2
1.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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