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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX28F160C3BXAC-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M-BIT [1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, MO-207, CSP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 429K |
| 代理商： | MX28F160C3BXAC-90 |
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25
P/N:PM0867
MX28F160C3T/B
REV. 1.2, MAR. 17, 2004
6.2.5 Erase and Program Timing (1)
Vpp 1.65V-3.6V
Note
Typ(1)
2,3
0.10
11.4V-12.6V
Max
Typ(1)
0.30
0.03
Symbol
tBWPB
Parameter
4-KW Parameter Sector
Word Program Time
32-KW Main Sector
Word Program Time
Word Program Time
Max
0.12
Unit
s
tBWMB
2,3
0.8
2.4
0.24
1
s
tWHQV1/
tEHQV1
tWHQV2/
tEHQV2
tWHQV3/
tEHQV3
tWHRH1/
tEHRH1
tWHRH2/
tEHRH2
2,3
12
200
8
185
us
4-KW Parameter Sector
Erase Time
32-KW Main Sector
Erase Time
Program Suspend Latency
2,3
0.5
4
0.4
4.0
s
2,3
1
5
0.6
5
s
3
15
20
15
20
us
Erase Suspend Latency
3
15
20
15
20
us
Notes:
1. Typical values measured at TA=+25
°
C and nominal voltage.
2. Excludes external system-level overhead.
3. Sampled, but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX28F160C3BXAC-90G | 16M-BIT [1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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參數(shù)描述 |
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