參數(shù)資料
型號(hào)： MT47H64M8CF-5EAT:F
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封裝： 8 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 94/139頁(yè)
文件大?。?/td> 9398K
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)當(dāng)前第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)
AC Overshoot/Undershoot Specification
Some revisions will support the 0.9V maximum average amplitude instead of the 0.5V
maximum average amplitude shown in Table 25 (page 58) and Table 26 (page 58).
Table 25: Address and Control Balls
Applies to address balls, bank address balls, CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE, and ODT
Parameter
Specification
-187E
-25/-25E
-3/-3E
-37E
-5E
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
0.50V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
0.50V
Maximum overshoot area above Vdd (see Figure 24 (page 58))
0.5 V/ns
0.66 V/ns
0.80 V/ns
1.00 V/ns 1.33 V/ns
Maximum undershoot area below Vss (see Figure 25
0.5 V/ns
0.66 V/ns
0.80 V/ns
1.00 V/ns 1.33 V/ns
Table 26: Clock, Data, Strobe, and Mask Balls
Applies to DQ, DQS, DQS#, RDQS, RDQS#, UDQS, UDQS#, LDQS, LDQS#, DM, UDM, and LDM
Parameter
Specification
-187E
-25/-25E
-3/-3E
-37E
-5E
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
0.50V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
0.50V
Maximum overshoot area above VddQ (see Figure 24
0.19 V/ns
0.23 V/ns
0.28 V/ns 0.38 V/ns
Maximum undershoot area below VssQ (see Figure 25
0.19 V/ns
0.23 V/ns
0.28 V/ns 0.38 V/ns
Figure 24: Overshoot
Maximum amplitude
Overshoot area
Vdd/VddQ
Vss/VssQ
V
olts
(V)
Time (ns)
Figure 25: Undershoot
Vss/VssQ
Maximum amplitude
Undershoot area
Time (ns)
V
olts
(V)
512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
AC Overshoot/Undershoot Specification
PDF: 09005aef82f1e6e2
Rev. M 9/08 EN
58
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT48H16M16LFBF-10IT 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60
MT49H8M36HU-33 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144
MT4C1024DJ-6L 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20
MT4C2M8A1DJ-7STR 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*