參數(shù)資料
型號(hào)： MC68HC08SR12
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： M68HC08 Microcontrollers
中文描述： M68HC08系列微控制器
文件頁(yè)數(shù)： 386/404頁(yè)
文件大?。?/td> 1666K
代理商： MC68HC08SR12
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Electrical Specifications
Data Sheet
MC68HC908SR12MC68HC08SR12 — Rev. 5.0
386
Electrical Specifications
Freescale Semiconductor
24.18 FLASH Memory Characteristics
Table 24-17. FLASH Memory Electrical Characteristics
Characteristic
Symbol
Min.
Max.
Unit
Data retention voltage
V
RDR
1.3
—
V
Number of rows per page
2
Rows
Number of bytes per page
128
Bytes
Read bus clock frequency
f
Read(1)
Notes
:
1. f
Read
is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
2. If the page erase time is longer than t
Erase
(Min.), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the FLASH
memory.
3. If the mass erase time is longer than t
MErase
(Min.), there is no erase-disturb, but is reduces the endurance of the FLASH
memory.
4. It is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump, by clearing
HVEN to logic 0.
5. t
hv
is the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase, and the same address can not be
programmed twice before next erase.
6. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least this many
erase/program cycles.
7. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least this many
erase/program cycle.
8. The FLASH is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum time
specified.
32k
8M
Hz
Page erase time
t
Erase(2)
1
—
ms
Mass erase time
t
MErase(3)
4
—
ms
PGM/ERASE to HVEN setup time
t
nvs
10
—
μ
s
High-voltage hold time
t
nvh
5
—
μ
s
High-voltage hold time (mass erase)
t
nvhl
100
—
μ
s
Program hold time
t
pgs
5
—
μ
s
Program time
t
Prog
30
40
μ
s
Address/data setup time
t
ads
—
30
ns
Address/data hold time
t
adh
—
30
ns
Recovery time
t
rcv(4)
1
—
μ
s
Cumulative HV period
t
hv(5)
—
25
ms
Row erase endurance
(6)
—
10k
—
Cycles
Row program endurance
(7)
—
10k
—
Cycles
Data retention time
(8)
—
10
—
Years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC68HC11E0 HC11 Microcontrollers
MC68HC11K0 HCMOS Microcontroller Unit
MC68HC11KMNPEVS Microcontrollers
MC68HC705C8AC Microcontrollers
MC68HC705E6 HCMOS Microcontroller Unit
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參數(shù)描述
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MC68HC08XL36 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:HCMOS Microcontroller Unit
MC68HC08XL36CB 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:HCMOS Microcontroller Unit
MC68HC08XL36CFU 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:HCMOS Microcontroller Unit
MC68HC11 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Port Replacement Unit (PRU)
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