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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB814405C-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬(wàn)× 4位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬(wàn)× 4位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/30頁(yè) |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | MB814405C-60 |
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7
MB814405C-60/MB814405C-70
I
DC CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Notes 3
Parameter
Symbol
Conditions
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
Output high voltage*
1
V
OH
I
OH
= –5.0 mA
2.4
—
—
V
Output low voltage*
1
V
OL
I
OL
= 4.2 mA
—
—
0.4
Input leakage current (any input)
I
I(L)
0 V
≤
V
IN
≤
5.5 V;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
–10
—
10
μ
A
Output leakage current
I
O(L)
0 V
≤
V
OUT
≤
5.5 V;
Data out disabled
–10
—
10
Operating current
(Average power
supply current)*
2
MB814405C-60
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min
—
—
61
mA
MB814405C-70
54
Standby current
(Power supply
current)
TTL level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
—
2.0
mA
CMOS level
RAS = CAS
≥
V
CC
–0.2 V
1.0
Refresh current #1
(Average power
supply current)*
2
MB814405C-60
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
RC
= min
—
—
61
mA
MB814405C-70
54
Hyper page mode
current*
2
MB814405C-60
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS cycling;
t
HPC
= min
—
—
66
mA
MB814405C-70
55
Refresh current #2
(Average power
supply current)*
2
MB814405C-60
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
—
49
mA
MB814405C-70
44
Refresh current #3
(Average power
supply current)
MB814405C-60
I
CC9
RAS = CAS
≤
0.2 V
Self refresh
—
—
1000
μ
A
MB814405C-70
1000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB814405C-70 | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MB8146112 | 制造商:FUJITSU 功能描述:* |
| MB81461-12PSZ | 制造商:FUJITSU 功能描述:VRAM, FAST PAGE, 64KX4, 24 Pin, Plastic, ZIP |
| MB81461B-12 | 制造商:FUJITSU 功能描述: 制造商:FUGITSU 功能描述:81461B-12 制造商:FUJITSU 功能描述:81461B-12 |
| MB81464-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 262,144 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY |
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