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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB814405C-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬(wàn)× 4位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬(wàn)× 4位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 372K |
| 代理商： | MB814405C-60 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)當(dāng)前第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)
12
MB814405C-60/MB814405C-70
Fig. 5 – READ CYCLE
DESCRIPTION
To implement a read operation, a valid address is latched by the RAS and CAS address strobes and with WE set to a High level
and OE set to a low level, the output is valid once the memory access time has elapsed. The access time is determined by RAS(t
RAC
),
CAS(t
CAC
), OE (t
OEA
) or column addresses (t
AA
) under the following conditions:
If t
RCD
> t
RCD
(max), access time = t
CAC
.
If t
RAD
> t
RAD
(max), access time = t
AA
.
If OE is brought Low after t
RAC
, t
CAC
, or t
AA
(whichever occurs later), access time = t
OEA
.
However, if either OE or both RAS and CAS or OE goes High, the output returns to a high-impedance state after t
OH
is satisfied.
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
9
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
“H” or ”L”
Valid Data
t
RC
t
RAS
t
AR
t
RP
t
CDD
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCH
t
RRH
t
RCS
t
DZC
t
OEA
t
DZO
t
ON
t
OED
t
OH
t
OFF
t
RAD
ROW ADD
COLUMN ADD
t
RAL
t
CAL
t
AA
t
CAC
t
RAC
HIGH-Z
HIGH-Z
t
OH
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
ON
t
RDD
t
WED
t
WEZ
t
OEZ
t
COL
t
OEL
t
WPZ
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