參數(shù)資料
型號： MB814405C-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 4位超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬× 4位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 24/30頁
文件大?。?/td> 372K
代理商： MB814405C-60
24
MB814405C-60/MB814405C-70
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
VALID DATA OUT
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID DATA OUT
HIGH-Z
HIGH-Z
Fig. 18 – HIDDEN REFRESH CYCLE
DQ
(Input)
DQ
(Output)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CAS
WE
A
0
to A
8
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
OE
DESCRIPTION
A hidden refresh cycle may be performed while maintaining the latest valid data at the output by extending the active time of CAS
and cycling RAS. The refresh row address is provided by the on-chip refresh address counter. This eliminates the need for the external
row address that is required by DRAMs that do not have CAS-before-RAS refresh capability.
WE must be held High for the specified set up time (t
WSR
) before RAS goes Low in order not to enter “Test Mode”.
“H” or ”L”
t
RP
t
RC
t
RAS
V
IH
V
IL
[Normal Mode]
[Test Mode]
V
IH
V
IL
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
OEL
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CHR
t
CRP
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
RAL
t
CAH
t
RCS
t
RRH
t
WSR
t
WHR
t
AA
t
RAC
t
DZC
t
CAC
t
ON
t
OH
t
OFF
t
OEZ
t
OED
t
OEA
t
DZO
t
RCS
t
RRH
t
WSR
t
WHR
t
AA
t
RAC
t
DZC
t
CAC
t
OFF
t
OH
t
ON
t
OEA
t
DZO
t
OEZ
t
OED
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB814405C-70 CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814405D-60 1M ×4BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814405D-60L 1M ×4BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814405D-70 1M ×4BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814405D-7OL 1M ×4BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB8146112 制造商:FUJITSU 功能描述:*
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MB81461B-12 制造商:FUJITSU 功能描述: 制造商:FUGITSU 功能描述:81461B-12 制造商:FUJITSU 功能描述:81461B-12
MB81464-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 262,144 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
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