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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116165B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MB8116165B-60 |
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7
MB8116165B-50/-60
I
DC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Condition
Value
Unit
Min. Typ. Max.
2.4
—
—
—
Output High Voltage
Output Low Voltage
*1
*1
V
OH
V
OL
I
OH
= –5.0 mA
I
OL
= +4.2 mA
0 V
≤
V
IN
≤
V
CC
;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
;
Data out disabled
RAS & LCAS,
UCAS cycling;
t
RC
= min
RAS = LCAS =
UCAS = V
IH
RAS = LCAS =
UCAS
≥
V
CC
–0.2 V
LCAS = UCAS = V
IH
,
RAS cycling;
t
RC
= min
RAS = V
IL
,
LCAS = UCAS cycling;
t
HPC
= min
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
0.4
V
Input Leakage Current (Any Input)
I
I(L)
–10
—
10
μ
A
Output Leakage Current
I
DO(L)
–10
—
10
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8116165B-50
I
CC1
—
—
120
mA
MB8116165B-60
100
Standby Current
(Power Supply
Current)
TTL Level
I
CC2
—
—
2.0
mA
CMOS Level
1.0
Refresh Current #1
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8116165B-50
I
CC3
—
—
120
mA
MB8116165B-60
100
Hyper Page Mode
Current
*2
MB8116165B-50
I
CC4
—
—
120
mA
MB8116165B-60
100
Refresh Current #2
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8116165B-50
I
CC5
—
—
120
mA
MB8116165B-60
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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