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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116165B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MB8116165B-60 |
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13
MB8116165B-50/-60
t
RC
t
RAS
t
AR
t
RP
t
CDD
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
OEL
t
RCH
t
RCS
t
DZC
t
OEA
t
DZO
t
ON
t
OED
t
OH
t
OFF
ROW ADD
COLUMN ADD
t
RAL
t
CAL
t
AA
t
CAC
t
RAC
HIGH-Z
HIGH-Z
t
OH
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
ON
t
WPZ
t
WEZ
t
OEZ
t
RAD
t
COL
A
0
to A
11
LCAS
or
UCAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
OH
V
OL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
DESCRIPTION
To implement a read operation, a valid address is latched by the RAS and LCAS or UCAS address strobes and with WE set to a
High level and OE set to a Low level, the output is valid once the memory access time has elapsed. DQ pins are valid when RAS
and CAS are High or until OE goes High. The access time is determined by RAS(t
RAC
), LCAS/UCAS(t
CAC
), OE(t
OEA
) or column
addresses (t
AA
) under the following conditions:
If t
RCD
> t
RCD
(max), access time = t
CAC
.
If t
RAD
> t
RAD
(max), access time = t
AA
.
If OE is brought Low after t
RAC
, t
CAC
, or t
AA
(whichever occurs later), access time = t
OEA
.
However, if either LCAS/UCAS or OE goes High, the output returns to a high-impedance state after t
OH
is satisfied.
Fig. 5 – READ CYCLE
Valid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
t
RDD
t
RRH
t
WED
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