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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116165B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MB8116165B-60 |
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MB8116165B-50/-60
HYPER PAGE MODE OPERATION
The hyper page mode operation provides faster memory access and lower power dissipation. The hyper page
mode is implemented by keeping the same row address and strobing in successive column addresses. To
satisfy these conditions, RAS is held Low for all contiguous memory cycles in which row addresses are common.
For each page of memory (within column address locations), any of 256
×
16-bits can be accessed and, when
multiple MB8116165Bs are used, CAS is decoded to select the desired memory page. Hyper page mode
operations need not be addressed sequentially and combinations of read, write, and/or read-modify-write cycles
are permitted. Hyper page mode features that output remains valid when CAS is inactive until CAS is reactivated.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MB8116400A-50 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB8116400A-60 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB8116400A-70 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB8116400B-50 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| MB8116400B-60 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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