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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116165B-60 |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MB8116165B-60 |
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15
MB8116165B-50/-60
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
DZC
t
CSH
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
ROW
ADD
COL
ADD
t
RSH
t
WCH
t
RWL
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
ON
t
ON
t
AR
t
OEZ
LCAS
or
UCAS
V
IH
V
IL
A
0
to A
11
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
OH
V
OL
RAS
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins are latched with the falling edge of WE and written
into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE (OE CONTROLLED)
V
IH
V
IL
OE
Invalid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
t
CRP
VALID
DATA IN
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