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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116165B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MB8116165B-60 |
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16
MB8116165B-50/-60
t
RWC
t
RAS
t
RCD
t
ASR
t
CAH
t
RWL
t
RCS
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
t
RAD
t
CWD
t
WP
VALID
DATA
t
OEZ
t
OH
t
RWD
t
AWD
t
DZC
HIGH-Z
t
CAC
t
RAC
t
AA
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
DATA IN
t
AR
t
ON
t
OEA
t
ON
t
CRP
LCAS
or
UCAS
V
IH
V
IL
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
Fig. 8 – READ-MODIFY-WRITE CYCLE
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
A
0
to A
11
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
OH
V
OL
RAS
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
ROW
ADD
COL
ADD
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PDF描述 |
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