參數(shù)資料
型號(hào)： M12L64164A-7BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 40/45頁(yè)
文件大?。?/td> 831K
代理商： M12L64164A-7BG
ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
40/45
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
*Note: 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A12
A c t i v e
P o w er - do w n
E xi t
P r e c h a r g e
: D o n ' t c a r e
*Not e 3
*Not e 2
*Not e 1
t
S S
t
S S
t
S S
Ra
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
t
S H Z
Precharge
Power- Down
Entr y
Precharge
Power-Down
Exit
Row Active
Active
Power-down
Entry
Read
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Ca
A13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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