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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64322A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 1/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | M12L64322A-7BG |
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ES MT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
1/47
Revision History
Revision 0.1(Dec. 28 1998)
-Original
Revision 0.2(Jan. 29 1999)
-Add page 45 "Packing Dimension"
Revision 0.3(Apr. 20 2000)
-Modify 6 tss from 2 to 1.5ns.(Page 7)
Revision 0.4(May. 09 2001)
- 64ms refresh period (4K cycle) --> 15.6
- Add Packing Dimension Title 86-LEAD TSOP(II) DRAM(400mil).
- Modify P.39
Revision 1.0(Jun. 08 2001)
- Modify ICC2NS, ICC6, tRDL, tOH spec
Revision 1.1(Oct. 21 2002)
- Add –5 spec, Delete -8 spec
Revision 1.2(Nov. 11 2002)
- Modify tCH, tCL spec
Revision 1.3(Dec. 24 2002)
- Delete -5 spec (AC/DC)
Revision 1.4(Jan. 17 2003)
- Modify tRDL to meet currently spec in the market
Revision 1.5(Feb. 17 2003)
- Typing error
Revision 1.6(Oct. 29 2003)
- Modify refresh period.
Revision 1.7(May. 10 2004)
- M12L64322A-6T tRDL=12ns
- M12L64322A-7T tRDL=14ns
Revision 1.8(May. 02 2005)
- Add pb-free to ordering information
- Recommend to add 4096 auto refresh before and after self refresh
Revision 1.9(Nov. 04 2005)
- Modify tCC / tRCD spec
Revision 2.0(Dec. 08 2005)
- Add –5T speed grade
Revision 2.1(Mar. 08 2006)
- Modify Inch Dimension Max. A2 from 0.011 to 0.041
Revision 2.2(Nov. 27 2006)
- Add BGA 90ball 8x13mm package
Revision 2.3(Mar. 02 2007)
-
Delete BGA ball name of packing dimensions
μ
s refresh interval (P.1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-7T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M-12-LID-PLATED | 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 PLTD LID FOR M12 RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
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