參數(shù)資料
型號： M12L64322A-7BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90
封裝： 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90
文件頁數(shù)： 38/47頁
文件大?。?/td> 791K
代理商： M12L64322A-7BG
ES MT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
38/47
Read & Write cycle with Auto Precharge @ Burst Length = 4
*Note : 1. t
CDL
should be controlled to meet minimum t
RAS
before internal precharge start.
(In the case of Burst Length = 1 & 2)
0 1 2 3 4 5 6 7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17
18
19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA0
BA1
CL = 2
CL = 3
Row Active
( A - Bank )
Row Active
( D - Bank )
Read with
Auto Precharge
( A - Bank )
Auto Precharge
Start Point
(D- Bank)
: D o n ' t C a r e
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
Ra
Cb
Ra
Ca
Rb
Rb
QAa1 QAa2QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
Auto Precharge
Start Point
W rite with
Auto Pr echarge
( D-Bank)
HIGH
相關PDF資料
PDF描述
M12L64322A-7TG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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M12S128168A-10TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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