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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64322A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 19/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | M12L64322A-7BG |
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ES MT
BASIC FEATURE AND FUNCTION DESCRIPTIONS
1. CLOCK Suspend
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
19/47
2. DQM Operation
*Note : 1. CKE to CLK disable/enable = 1CLK.
2. DQM masks data out Hi-Z after 2CLKs which should masked by CKE ”L”.
3. DQM masks both data-in and data-out.
CLK
C M D
CKE
Internal
CLK
DQ(CL 2)
DQ( CL3)
R D
Q2
Q0
Q1
Q3
Q2
Q0
Q1
Q3
D0
D1
D2
D3
D1
D2
D3
D0
W R
Masked by CKE
1) Cl oc k S u s p e n d ed D u r i n g W r i t e ( B L = 4 )
2) C l oc k S u s p e n d e d D u r i n g R ead ( B L= 4 )
Not W ritten
Suspended Dout
CLK
C M D
DQ M
DQ(CL2)
DQ(CL3)
R D
Q0
Q2
Q3
Q1
Q2
Q3
D0
D1
D3
D1
D3
D0
W R
Ma s k e d b y D Q M
Ma s k e d b y D Q M
CLK
C M D
DQ M
DQ(CL2)
DQ(CL3)
CKE
R D
Q0
Q2
Q4
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
Q6
Q7
Q8
Q5
Q6
Q7
Q1
Q3
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
1 ) W r i t e M a s k ( B L = 4 )
2) R e ad M as k ( B L = 4 )
DQM to Data-in Mask=0
DQM to Data-out Mask= 2
3) D Q M wi t h c l c ok s u s p en d ed ( F u l l P a g e Re ad )
*Not e 2
Internal
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-7T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M-12-LID-PLATED | 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 PLTD LID FOR M12 RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
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