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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L64322A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 23/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | M12L64322A-7BG |
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ES MT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
23/47
6. Precharge
.
7. Auto Precharge
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
*Note
:
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay.
2. Number of valid output data after row precharge : 1,2 for CAS Latency = 2,3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
CLK
C M D
DQ(CL2)
Q0
Q1
Q2
Q3
R D
DQ(CL3)
* N o t e 3
Auto Precharge starts
Q0
Q1
Q2
Q3
* N o t e 3
Auto Precharge starts
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
t
RD L
CLK
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
t
RD L
*Not e 1
CLK
C M D
C M D
DQ(CL2)
Q0
Q1
Q2
2*No t e 2
1*No t e 2
Q3
R D
PRE
DQ( CL3)
Q0
Q1
Q2
Q3
PRE
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m a l R ea d ( B L= 4 )
CL=2
PRE
CL=3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-7T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M-12-LID-PLATED | 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 PLTD LID FOR M12 RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級(jí): 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
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