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參數資料
| 型號： | M12L64164A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁數： | 17/45頁 |
| 文件大小： | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-7BG |
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ES MT
BASIC FEATURE AND FUNCTION DESCRIPTIONS
1. CLOCK Suspend
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
17/45
2. DQM Operation
*Note :1. CKE to CLK disable/enable = 1CLK.
2. DQM masks data out Hi-Z after 2CLKs which should masked by CKE ”L”.
3. DQM masks both data-in and data-out.
CLK
C M D
DQ M
DQ(CL2)
DQ(CL3)
R D
Q0
Q2
Q3
Q1
Q2
Q3
D0
D1
D3
D1
D3
D0
W R
Ma s k e d b y D Q M
Ma s k e d b y D Q M
CLK
C M D
DQ M
DQ(CL2)
DQ(CL3)
CKE
R D
Q0
Q2
Q4
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
Q6
Q7
Q8
Q5
Q6
Q7
Q1
Q3
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
Hi - Z
1 ) W r i t e M a s k ( B L = 4 )
2) R e ad M as k ( B L = 4 )
DQM to Data-in M ask= 0
DQM to Data-out Mask=2
3) D Q M wi t h c l c ok s u s p en d ed ( F u l l P a g e Re ad )
*Not e 2
Internal
CLK
Q9
Q8
CLK
CMD
CK E
Internal
CLK
DQ (CL2)
DQ (CL3)
RD
Q2
Q0
Q1
Q3
Q0
Q1
Q3
D0
D1
D2
D3
D1
D2
D3
D0
WR
Masked by CKE
1) Cl oc k S u sp end ed D ur in g W ri t e ( B L= 4)
2 ) C lo c k S u s pe nd ed D ur i ng R ead ( B L =4 )
Not W ri tten
Suspended Dout
Q2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M12L64164A-7BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-7TA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-7TG | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-7TG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
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