參數(shù)資料
型號(hào)： M12L64164A-7BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 10/45頁(yè)
文件大?。?/td> 831K
代理商： M12L64164A-7BG
ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
10/45
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Adrress
A1
A0
Sequential
Interleave
0
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1
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0
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial
A2
A1
A0
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Interleave
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PDF描述
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