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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42G32256-8PQ |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 32 x 2 (16-Mbit) SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
| 中文描述： | 512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | IS42G32256-8PQ |
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IS42G32256
Integrated Silicon Solution, Inc.
ADVANCE INFORMATION
SR037-0C
09/10/98
17
ISSI
Figure 8. Write Interrupted by Precharge and DQM
Notes
:
1. To Inhibit invalid write, DQM should be issued.
2. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge
interrupt but only another bank precharge of dual banks operation.
COMMAND
CLK
DQM
DQ
WR
MASKED BY DQM
WR
D0
D1
D2
D3
(NOTE 2)
(NOTE 1)
COMMAND
CLK
DQ
1. NORMAL WRITE (BURST LENGTH = 4)
WR
PRE
D0
D1
D2
D3
t
RDL
(NOTE 1)
COMMAND
CLK
DQ (CLOCK
LATENCY = 2
DQ (CLOCK
LATENCY = 3
3. READ (BURST LENGTH = 4)
WR
PRE
Q0
Q1
Q2
Q3
(NOTE 2)
1
Q0
Q1
Q2
Q3
2
2. BLOCK WRITE
BW
PRE
PIXEL
t
BPL
(NOTE 1)
Figure 9. Precharge
Notes
:
1. t
RDL
: Write data-in to PRE command delay, t
BPL
: Block Write data-in to PRE command delay.
2. Number of valid output data after row precharge: 1, 2 for CAS, Latency = 2, 3 respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42G32256 | 256K x 32 x 2 (16-Mbit) SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
| IS42S16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-5T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-5TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-6T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42K | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42KS | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42L | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42LS16800A | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS16800A-10B | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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