參數(shù)資料
型號： HYB25D128800ATL-8
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù)： 59/79頁
文件大?。?/td> 2596K
代理商： HYB25D128800ATL-8
1.1
HYB25D128[400/800/160]A-[6/7/8]
128Mbit Double Data Rate SDRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
59
Rev. 1.06, 2004-01
09192003-LFQ1-R60G
DQS-DQ skew (DQS and associated
DQ signals)
Data hold skew factor
DQ/DQS output hold time
t
DQSQ
—
+0.6
—
+0.5
t
HP
–
t
QHS
0.2
0.2
—
2)3)4)5)
t
QHS
t
QH
—
t
HP
–
t
QHS
0.35 —
1.0
—
—
t
HP
–
t
QHS
0.35
0.75
—
—
—
2)3)4)5)
2)3)4)5)
DQS input low (high) pulse width (write
cycle)
DQS falling edge to CK setup time
(write cycle)
DQS falling edge hold time from CK
(write cycle)
Mode register set command cycle time
t
MRD
Write preamble setup time
Write postamble
Write preamble
Address and control input setup time
t
DQSL,H
—
2
—
2)3)4)5)
t
DSS
0.2
—
0.2
—
0
—
2)3)4)5)
t
DSH
0.2
—
0.2
—
0.40
0.60
2)3)4)5)
2
0
0.40 0.60
0.25 —
1.1
—
—
2
0
0.40
0.25
0.9
—
—
0.60
—
—
0.25
0.75
0.8
0.75
0.8
—
—
—
—
—
2)3)4)5)
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
—
fast slew rate
3)4)5)6)10)
—
1.0
—
0.9
1.1
slow slew rate
3)4)5)6)10)
Address and control input hold time
t
IH
1.1
—
0.9
—
0.40
0.60
fast slew rate
3)4)5)6)10)
1.1
—
1.0
—
42
70E+3 slow slew rate
3)4)5)6)10)
Read preamble
t
RPRE
t
RPRE1.5
0.9
0.9
1.1
1.1
0.9
NA
1.1
60
72
—
—
CL > 1.5
2)3)4)5)
CL = 1.5
2)3)4)5)11)
Read preamble setup time
Read postamble
Active to Precharge command
Active to Active/Auto-refresh
command period
Auto-refresh to Active/Auto-refresh
command period
Active to Read or Write delay
Precharge command period
Active to Autoprecharge delay
Active bank A to Active bank B
command
Write recovery time
Auto precharge write recovery +
precharge time
t
RPRES
t
RPST
t
RAS
t
RC
1.5
0.40 0.60
50
70
—
NA
0.40
18
18
—
—
—
—
2)3)4)5)12)
0.60
120E+3 18
—
2)3)4)5)
120E+3 45
—
2)3)4)5)
65
12
2)3)4)5)
t
RFC
80
—
75
—
15
—
2)3)4)5)
t
RCD
t
RP
t
RAP
t
RRD
20
20
20
15
—
—
—
—
20
20
20
15
—
—
—
—
2)3)4)5)
1
75
200
—
—
—
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
WR
t
DAL
15
—
(
t
wr
/
t
CK
) + (
t
rp
/
t
CK
)
15
—
—
7.8
t
CK
2)3)4)5)
2)3)4)5)13)
Table 18
Parameter
AC Timing - Absolute Specifications –8/–7/-6
(cont’d)
Symbol
–8
–7
–6
Note/
Test Conditi
on
1)
DDR200
Min. Max.
DDR266A
Min.
DDR333
Min.
Max.
Max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D128400CC-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CT-7 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CT-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CTL-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D256160BTL-7 256-Mbit Double Data Rate SDRAM, Die Rev. B
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HYB25D128800CC-5 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
HYB25D128800CC-6 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
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