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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128800ATL-8 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 55/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2596K |
| 代理商： | HYB25D128800ATL-8 |
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HYB25D128[400/800/160]A-[6/7/8]
128Mbit Double Data Rate SDRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
55
Rev. 1.06, 2004-01
09192003-LFQ1-R60G
4.3
Weak Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
1. The weak pulldown V-I curve for DDR SDRAM devices is expected, but not guaranteed, to lie within the inner
bounding lines of the V-I curve
2. The weak pullup V-I curve for DDR SDRAM devices is expected, but not guaranteed, to lie within the inner
bounding lines of the V-I curve.
3. The full variation in driver pullup current from minimum to maximum process, temperature, and voltage lie
within the outer bounding lines of the V-I curve.
4. The full variation in the ratio of the maximum to minimum pullup and pulldown current does not exceed 1.7, for
device drain to source voltages from 0.1 to 1.0.
5. The full variation in the ratio of the nominal pullup to pulldown current should be unity
±
10
%
, for device drain
to source voltages from 0.1 to 1.0V.
Figure 34
Weak Strength Pull-down Characteristics
Figure 35
Weak Strength Pull-up Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Vout [V]
I
Maximum
Typical high
Typical low
Minimum
-80,0
-70,0
-60,0
-50,0
-40,0
-30,0
-20,0
-10,0
0,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Vout [V]
I
Maximum
Typical high
Typical low
Minimum
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128400CC-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CT-7 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800CT-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800CTL-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D256160BTL-7 | 256-Mbit Double Data Rate SDRAM, Die Rev. B |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128800C | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CC-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CC-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CE-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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