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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128800ATL-8 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 41/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2596K |
| 代理商： | HYB25D128800ATL-8 |
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HYB25D128[400/800/160]A-[6/7/8]
128Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
41
Rev. 1.06, 2004-01
09192003-LFQ1-R60G
Figure 26
Write to Precharge: Interrupting (Burst Length = 4 or 8)
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 2 data elements are written.
1 subsequent element of data in is applied in the programmed order following DI a-b.
t
WR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst, for burst length = 8.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don't care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don't care at this point.
3 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
PRE
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
Maximum DQSS
DI a-b
1
1
2
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(max)
t
RP
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
PRE
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
Minimum DQSS
t
WR
t
RP
DI a-b
1
1
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
2
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
3
3
3
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128400CC-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CT-7 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800CT-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800CTL-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D256160BTL-7 | 256-Mbit Double Data Rate SDRAM, Die Rev. B |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128800C | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CC-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CC-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CE-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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