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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128800ATL-8 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 39/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2596K |
| 代理商： | HYB25D128800ATL-8 |
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HYB25D128[400/800/160]A-[6/7/8]
128Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
39
Rev. 1.06, 2004-01
09192003-LFQ1-R60G
Figure 24
Write to Read: Nominal DQSS, Interrupting (CAS Latency = 2; Burst Length = 8)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(nom)
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 4 data elements are written.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
t
WTR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Read command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
The Read and Write commands are not necessarily to the same bank.
1 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
DI a-b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL n
t
WTR
CL = 2
1
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128400CC-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CT-7 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800CT-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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| HYB25D256160BTL-7 | 256-Mbit Double Data Rate SDRAM, Die Rev. B |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128800C | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
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| HYB25D128800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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