參數(shù)資料
型號(hào): HYB25D128800ATL-8
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述: 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁(yè)數(shù): 35/79頁(yè)
文件大?。?/td> 2596K
代理商: HYB25D128800ATL-8
HYB25D128[400/800/160]A-[6/7/8]
128Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
35
Rev. 1.06, 2004-01
09192003-LFQ1-R60G
Figure 20
Random Write Cycles (Burst Length = 2, 4 or 8)
T1
T2
T3
T4
T5
t
DQSS
(max)
Maximum DQSS
Write
Write
Write
Write
Write
DI a-b
DI a-n
DI a-b, etc. = data in for bank a, column b, etc.
b', etc. = odd or even complement of b, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Each Write command may be to any bank.
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
T1
T2
T3
T4
T5
Minimum DQSS
Write
Write
Write
Write
Write
DI a-b
DI a-n
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
t
DQSS
(min)
DI a-g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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