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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128400AT |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 44/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2596K |
| 代理商： | HYB25D128400AT |
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One Bank
HYB25D128[400/800/160]A-[6/7/8]
128Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
44
Rev. 1.06, 2004-01
09192003-LFQ1-R60G
3.5.4
The Precharge command is used to deactivate the open row in a particular bank or the open row in all banks. The
bank(s) will be available for a subsequent row access some specified time (
t
RP
) after the Precharge command is
issued. Input A10 determines whether one or all banks are to be precharged, and in the case where only one bank
is to be precharged, inputs BA0, BA1 select the bank. When all banks are to be precharged, inputs BA0, BA1 are
treated as “Don’t Care.” Once a bank has been precharged, it is in the idle state and must be activated prior to any
Read or Write commands being issued to that bank.
Precharge
Figure 29
Precharge Command
BA
HIGH
BA = bank address
(if A10 is Low, otherwise Don’t Care).
CK
CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
BA0, BA1
Don’t Care
All Banks
A0-A9, A11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128400AT-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400ATL-8 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800AT-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800ATL-8 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CC-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128400AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?128Mb (32Mx4) DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D128400AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?128Mb (32Mx4) DDR200 (2-2-2)? |
| HYB25D128400ATL-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400ATL-7 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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