- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370429 > HB52E88EM (Hitachi,Ltd.) 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52E88EM |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2741K |
| 代理商： | HB52E88EM |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)
HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
8
4
Number of column addresses
bits
Number of banks
(HB52E88EM/89EM)
(HB52E168EN/169EN)
Module data width
(HB52E88EM/168EN)
(HB52E89EM/169EN)
Module data width
(continued)
Module interface signal levels 0
SDRAM cycle time
(highest CE latency)
10 ns
SDRAM access from Clock
(highest CE latency)
6 ns
Module configuration type
(HB52E88EM/168EN)
(HB52E89EM/169EN)
Refresh rate/type
0
0
0
0
1
0
0
1
09
9
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
01
02
1
2
6
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
40
48
00
64
72
0 (+)
7
8
9
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
01
A0
LVTTL
CL = 3
1
10
0
1
1
0
0
0
0
0
60
11
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
00
02
80
Non parity
ECC
Normal
(15.625
μ
s)
Self refresh
8M
×
8
12
13
14
SDRAM width
Error checking SDRAM width
(HB52E88EM/168EN)
(HB52E89EM/169EN)
SDRAM device attributes:
minimum clock delay for
back-to-back random column
addresses
SDRAM device attributes:
Burst lengths supported
SDRAM device attributes:
number of banks on SDRAM
device
SDRAM device attributes:
CE latency
(-A6F)
SDRAM device attributes:
CE latency
(-B6F)
SDRAM device attributes:
S latency
SDRAM device attributes:
W latency
SDRAM module attributes
SDRAM device attributes:
General
0
0
0
0
1
0
0
0
08
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
00
08
01
—
×
8
1 CLK
15
16
1
0
0
0
1
1
1
1
8F
1, 2, 4, 8, full
page
4
17
0
0
0
0
0
1
0
0
04
18
0
0
0
0
0
1
1
0
06
2, 3
0
0
0
0
0
1
0
0
04
3
19
0
0
0
0
0
0
0
1
01
0
20
0
0
0
0
0
0
0
1
01
0
21
22
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
00
0E
Non buffer
V
CC
±
10%
Byte
No.
Function described
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E89EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E169E12 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52E648EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649E12 | THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E88EM-B6 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52E89E1P-B6 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52E89EM-B6 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52F168GB-75B | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F168GB-75BL | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 SDRAM Module |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。