參數(shù)資料
型號: HB52E88EM
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述: 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存(64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存)
文件頁數(shù): 57/64頁
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代理商: HB52E88EM
HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
57
Read/Single Write Cycle
N
E
M
N
E
N
E
M
N
F
G
O
P
=
E
F
N
O
=
F
G
N
O
=
E
F
N
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
a
Bank 0
Active
Read
Active
,
#
,
!
*
!
*
R:a
C:a
R:b
C:a'
#
,
#
,
R:a
C:a
C:a
$
Bank 0
Bank 3
-
<
!
a
a
a
=
$
E
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Bank 3
Precharge
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 0
Write
Bank 0
)
*
2
)
*
2
)
2
)
N
R:b
Bank 3
Active
>
F
G
P
=
>
F
G
=
>
F
4
=
>
F
+
4
=
K
L
K
L
B
J
K
9
B
J
K
$
%
-
6
>$
%
-
>$
,-
5
>$
,
4
5
>
#
+
,
58
9
A
I
J
9
A
B
I
J
9
A
B
J
K
9
B
J
K
B
K
L
C:a
Bank 0
Read
a
a+1 a+2 a+3
9
A
B
J
K
%
Bank 0
Write
Bank 0
Write
CKE
S
CE
W
Address
DQMB
Din
Dout
CK
BA
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
'
(
0
1
9
(
)
0
1
9
:
)
2
:
;
C
L
)
1
2
9
:
C
(
)
1
2
9
C:b
b
c
a+1
a+3
a+1 a+2 a+3
C:c
!
"
*
+
2
3
:
!
*
!
*
3
>
F
G
O
P
4
+
,
3
<
=
)
1
2
:
&
V
IH
V
IH
Read/Single write
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
Din
Dout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E89EM 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E169E12 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HB52E89E1P-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52E89EM-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52F168GB-75B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52F168GB-75BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module