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參數(shù)資料
| 型號： | EP1S30F780I6N |
| 廠商： | Altera |
| 文件頁數(shù)： | 331/864頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC STRATIX FPGA 30K LE 780-FBGA |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs |
| 產(chǎn)品變化通告： | Package Height Change 03/March/2008 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 18 |
| 系列： | Stratix® |
| LAB/CLB數(shù)： | 3247 |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 32470 |
| RAM 位總計： | 3317184 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 597 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 100°C |
| 封裝/外殼： | 780-BBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 780-FBGA（29x29） |
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Altera Corporation
3–1
June 2006
3. External Memory
Interfaces in Stratix &
Stratix GX Devices
Introduction
Stratix and Stratix GX devices support a broad range of external
memory interfaces such as double data rate (DDR) SDRAM, RLDRAM II,
quad data rate (QDR) SRAM, QDRII SRAM, zero bus turnaround (ZBT)
SRAM, and single data rate (SDR) SDRAM. The dedicated phase-shift
circuitry allows the Stratix and Stratix GX devices to interface at twice the
system clock speed with an external memory (up to 200 MHz/400 Mbps).
Typical I/O architectures transmit a single data word on each positive
clock edge and are limited to the associated clock speed using this
protocol. To achieve a 400-megabits per second (Mbps) transfer rate, a
SDR system requires a 400-MHz clock. Many new applications have
introduced a DDR I/O architecture as an alternative to SDR architectures.
While SDR architectures capture data on one edge of a clock, the DDR
architectures captures data on both the rising and falling edges of the
clock, doubling the throughput for a given clock frequency and
accelerating performance. For example, a 200-MHz clock can capture a
400-Mbps data stream, enhancing system performance and simplifying
board design.
Most current memory architectures use a DDR I/O interface. These DDR
memory standards cover a broad range of applications for embedded
processor systems, image processing, storage, communications, and
networking. This chapter describes the hardware features in Stratix and
Stratix GX devices that facilitate the high-speed memory interfacing for
each memory standard. It then briefly explains how each memory
standard uses the features of the Stratix and Stratix GX devices.
f
You can use this document with AN 329: ZBT SRAM Controller Reference
Design for Stratix & Stratix GX Devices, AN 342: Interfacing DDR SDRAM
with Stratix & Stratix GX Devices, and AN 349: QDR SRAM Controller
Reference Design for Stratix & Stratix GX Devices.
External
Memory
Standards
The following sections provide an overview on using the Stratix and
Stratix GX device external memory interfacing features.
DDR SDRAM
DDR SDRAM is a memory architecture that transmits and receives data
at twice the clock speed of traditional SDR architectures. These devices
transfer data on both the rising and falling edge of the clock signal.
S52008-3.3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 24LC02BT-I/MS | IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8MSOP |
| EP1S30F780C5N | IC STRATIX FPGA 30K LE 780-FBGA |
| 24AA02T-I/MS | IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8MSOP |
| EP2SGX60EF1152I4N | IC STRATIX II GX 60K 1152-FBGA |
| ASM36DTBS | CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EP1S-3G1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW SOUND PRESSURE |
| EP1S-3G1T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW SOUND PRESSURE |
| EP1S-3G1TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW SOUND PRESSURE |
| EP1S-3G2 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW SOUND PRESSURE |
| EP1S-3G2T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW SOUND PRESSURE |
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