參數(shù)資料
型號： CY7C1381D-133BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 9/29頁
文件大?。?/td> 477K
代理商： CY7C1381D-133BZXC
PRELIMINARY
CY7C1381D
CY7C1383D
Document #: 38-05544 Rev. *A
Page 9 of 29
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
External
External
Next
Next
Next
L
L
X
X
H
H
H
X
X
X
L
L
X
X
X
L
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
H
H
H
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
L
H
L
H
L
L-H Q
L-H Tri-State
L-H Q
L-H Tri-State
L-H Q
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
L
X
H
L
H
H
L-H Tri-State
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
L
H
H
L
L
X
L-H D
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
L
X
H
L
L
X
L-H D
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
L
H
H
H
H
L
L-H Q
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
L
H
H
H
H
H
L-H Tri-State
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
L
X
H
H
H
L
L-H Q
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
L
X
H
H
H
H
L-H Tri-State
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
L
H
H
H
L
X
L-H D
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
L
X
H
H
L
X
L-H D
Truth Table
(continued)
[ 3, 4, 5, 6, 7]
Cycle Description
ADDRESS
Used
CE
1
CE
2
CE
3
ZZ
ADSP
ADSC
ADV WRITE
OE
CLK
DQ
Partial Truth Table for Read/Write
[3, 8]
Function (CY7C1381D)
GW
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BWE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
D
X
H
H
H
H
H
H
H
H
BW
C
X
H
H
H
H
L
L
L
L
BW
B
X
H
H
L
L
H
H
L
L
BW
A
X
H
L
H
L
H
L
H
L
Read
Read
Write Byte A (DQ
A
, DQP
A
)
Write Byte B(DQ
B
, DQP
B
)
Write Bytes A, B (DQ
A
, DQ
B
, DQP
A
, DQP
B
)
Write Byte C (DQ
C
, DQP
C
)
Write Bytes C, A (DQ
C
, DQ
A,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes C, B (DQ
C
, DQ
B,
DQP
C
, DQP
B
)
Write Bytes C, B, A (DQ
C
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
C
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Byte D (DQ
D
, DQP
D
)
Write Bytes D, A (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
B,
DQP
D
, DQP
B
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
C
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes D, C, A ( DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write All Bytes
Write All Bytes
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
L
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
H
L
H
L
L
L
L
H
H
L
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
Note:
8. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any Combination of BW
X
is valid Appropriate write will be done based on which byte write is active.
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1383D 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
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CY7C1383D-100BGC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
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CY7C1381S-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 CY7C1381S-133AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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