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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1381D-133BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 14/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | CY7C1381D-133BZXC |
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PRELIMINARY
CY7C1381D
CY7C1383D
Document #: 38-05544 Rev. *A
Page 14 of 29
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; Vdd = 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[11]
Notes:
11.All voltages referenced to V
SS
(GND).
12.Bit #24 is “1” in the Register Definitions for both 2.5v and 3.3v versions of this device.
Parameter
V
OH1
Description
Conditions
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
Min.
2.4
Max.
Unit
V
Output HIGH Voltage
I
OH
= –4.0 mA
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100 μA
2.0
V
V
OH2
Output HIGH Voltage
2.9
V
2.1
V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 100 μA
0.4
V
0.4
V
V
OL2
Output LOW Voltage
0.2
V
0.2
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
V
1.7
V
V
IL
Input LOW Voltage
–0.3
V
–0.3
0.7
V
I
X
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
-5
5
μA
Identification Register Definitions
Instruction Field
CY7C1381D
(512K × 36)
000
01011
CY7C1383D
(1M × 18)
000
01011
Description
Revision Number (31:29)
Describes the version number.
Reserved for Internal Use
Device Depth (28:24)
[12]
Device Width (23:18)
Cypress Device ID (17:12)
Cypress JEDEC ID Code (11:1)
ID Register Presence Indicator (0)
000001
100101
00000110100
1
000001
010101
00000110100
1
Defines memory type and architecture
Defines width and density
Allows unique identification of SRAM vendor.
Indicates the presence of an ID register.
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size (×36)
3
1
32
85
89
Bit Size (×18)
3
1
32
85
89
Instruction Bypass
Bypass
ID
Boundary Scan Order (119-ball BGA package)
Boundary Scan Order (165-ball fBGA package)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1383D | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383D-100AXC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383D-100AXI | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383D-100BGC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383D-100BGI | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1381DV25-133AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1381F-133BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381F-133BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381S-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 CY7C1381S-133AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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