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參數(shù)資料
| 型號： | BLF378 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | VHF push-pull power MOS transistor |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-262A1, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | BLF378 |
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Fig.12 Test circuit for class-AB operation.
k
MGE617
L13
C17
C18
C19
R9
R11
IC1
C38
C37
C36
C35
L17
C26
C27
C25
L19
L21
R5
C12
C13
C9
R6
R7
L16
C22
C14
C23
C24
L14
R8
R2
R3
R4
L4
L1
C5
C4
C3
R1
C1
C2
C6
C7
C20
C21 C28
C29
C30
C33
R10
C31
L22
L23
L24
L20
L18
L12
D.U.T.
L15
C32
C34
L6 L8 L10
L5
L3
L2
50
input
50
output
L7 L9 L11
C8
C15
C10
C11
C16
+
VDD1
A
A
+
VDD1
+
VDD2
f = 225 MHz.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BLF3G21-30,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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| BLF3G21-6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF3G21-6,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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