參數(shù)資料
型號(hào)： BLF378
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF push-pull power MOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-262A1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
文件大小： 134K
代理商： BLF378
1998 Jul 29
7
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF378
Fig.9
Power gain as a function of load power;
typical values per section.
Class-AB operation; V
= 50 V; I
DQ
= 2
×
0.5 A; f = 225 MHz;
Z
L
= 0.74 + j2
(per section); R
GS
= 2.8
(per section).
(1) T
h
= 25
°
C.
(2) T
h
= 70
°
C.
handbook, halfpage
0
100
200
300
0
10
MGE614
Gp
(dB)
PL (W)
(2)
(1)
Fig.10 Efficiency as a function of load power;
typical values per section.
Class-AB operation; V
= 50 V; I
DQ
= 2
×
0.5 A; f = 225 MHz;
Z
L
= 0.74 + j2
(per section); R
GS
= 2.8
(per section).
(1) T
h
= 25
°
C.
(2) T
h
= 70
°
C.
handbook, halfpage
0
40
η
D
(%)
20
0
100
200
PL (W)
300
MGE612
(2)
(1)
Fig.11 Load power as a function of input power;
typical values per section.
Class-AB operation; V
= 50 V; I
DQ
= 2
×
0.5 A; f = 225 MHz;
Z
L
= 0.74 + j2
(per section); R
GS
= 2.8
(per section).
(1) T
h
= 25
°
C.
(2) T
h
= 70
°
C.
handbook, halfpage
PL
(W)
0
5
10
15
300
100
0
200
MGE613
Pi (W)
(1)
(2)
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PDF描述
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BLF3G21-30,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-30112 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF3G21-6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-6,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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