參數(shù)資料
型號: BLF378
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: VHF push-pull power MOS transistor
中文描述: 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: SOT-262A1, 4 PIN
文件頁數(shù): 1/16頁
文件大?。?/td> 134K
代理商: BLF378
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Oct 17
1998 Jul 29
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLF378
VHF push-pull power MOS
transistor
M3D091
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
BLF3G21-30 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-30,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-30112 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF3G21-6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-6,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray