參數(shù)資料
型號(hào)： BLF378
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF push-pull power MOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-262A1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大小： 134K
代理商： BLF378
1998 Jul 29
6
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF378
APPLICATION INFORMATION
Class-AB operation
RF performance in CW operation in a common source class-AB circuit. T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0.15 K/W unless
otherwise specified. R
GS
= 2.8
per section; optimum load impedance per section = 0.74 + j2
(V
DS
= 50 V).
Note
1.
Assuming a 3rd order amplitude transfer characteristic, 1 dB gain compression corresponds with 30% synchronized
input / 25% synchronized output compression in television service (negative modulation, CCIR system).
Ruggedness in class-AB operation
The BLF378 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 7 : 1 through all phases under the
conditions: V
DS
= 50 V; f = 225 MHz at rated output power.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
I
DQ
(A)
P
L
(W)
G
p
(dB)
G
p
(dB)
(1)
η
D
(%)
CW, class-AB
225
50
2
×
0.5
250
>14
typ. 16
typ. 15
<1
>50
typ. 55
typ. 60
typ. 0.6
typ. 1
225
45
2
×
0.5
250
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PDF描述
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BLF3G21-30,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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BLF3G21-6,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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