參數(shù)資料
型號(hào)： BLF378
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： VHF push-pull power MOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-262A1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： BLF378
1998 Jul 29
12
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF378
Fig.14 Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values per
section.
Class-AB operation; V
= 50 V; I
= 2
×
0.5 A;
R
GS
= 2.8
(per section); P
L
= 250 W.
handbook, halfpage
zi
(
)
150
200
250
1
1
–2
0
MGE611
ri
xi
f (MHz)
Fig.15 Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values per
section.
Class-AB operation; V
= 50 V; I
= 2
×
0.5 A;
R
GS
= 2.8
(per section); P
L
= 250 W.
handbook, halfpage
150
250
200
f (MHz)
2
1
0
MGE625
XL
RL
ZL
(
)
Fig.16 Power gain as a function of frequency;
typical values per section.
Class-AB operation; V
= 50 V; I
= 2
×
0.5 A;
R
GS
= 2.8
(per section); P
L
= 250 W.
handbook, halfpage
150
200
250
0
10
MGE624
Gp
(dB)
f (MHz)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLF3G21-30,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-30112 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF3G21-6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-6,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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