參數(shù)資料
型號(hào)： BLF378
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF push-pull power MOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-262A1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： BLF378
1998 Jul 29
4
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF378
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Per transistor section
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GSth
V
GS
drain-source breakdown voltage V
GS
= 0; I
D
= 50 mA
drain-source leakage current
gate-source leakage current
gate-source threshold voltage
gate-source voltage difference
of both transistor sections
forward transconductance
forward transconductance ratio
of both transistor sections
drain-source on-state resistance I
D
= 5 A; V
GS
= 10 V
on-state drain current
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
drain-flange capacitance
110
2.0
2.5
1
4.5
100
V
mA
μ
A
V
mV
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V
V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0
I
D
= 50 mA; V
DS
= 10 V
I
D
= 50 mA; V
DS
= 10 V
g
fs
g
fs1
/g
fs2
I
D
= 5 A; V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A; V
DS
= 10 V
4.5
0.9
6.2
1.1
S
R
DSon
I
DSX
C
is
C
os
C
rs
C
d-f
0.2
25
480
190
14
5.4
0.3
A
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V; f = 1 MHz
Fig.4
Temperature coefficient of gate-source
voltage as a function of drain current; typical
values per section.
V
DS
= 10 V.
handbook, halfpage
T.C.
(mV/K)
5
10
2
10
1
MGE623
1
10
4
3
2
1
ID (A)
Fig.5
Drain current as a function of gate-source
voltage; typical values per section.
V
DS
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
20
10
0
5
ID
(A)
10
VGS (V)
15
MGE622
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PDF描述
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