參數(shù)資料
型號(hào)： BLF378
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF push-pull power MOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-262A1, 4 PIN
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大小： 134K
代理商： BLF378
1998 Jul 29
13
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF378
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT262A1
97-06-28
0
5
10 mm
scale
Flanged double-ended ceramic package; 2 mounting holes; 4 leads
SOT262A1
p
A
F
b
e
D
q
U1
H1
U2
H
Q
c
5
1
2
4
3
E
E1
C
A
w1
A B
M
B
M
w3
M
w2
C
UNIT
A
mm
D
b
5.85
5.58
0.16
0.10
21.98
21.71
11.05
10.29
10.03
20.58
20.06
9.91
9.65
5.77
5.00
c
e
U2
0.25
0.51
1.02
w3
27.94
q
w2
w1
F
1.78
1.52
U1
34.17
33.90
H1
17.02
16.51
p
3.28
3.02
Q
2.85
2.59
E
E1
10.27
10.05
inches
0.230
0.220
0.006
0.004
0.865
0.855
0.435
0.405
0.395
0.81
0.79
0.390
0.380
0.227
0.197
0.01
0.02
0.04
1.100
0.070
0.060
1.345
1.335
0.67
0.65
0.129
0.119
0.112
0.102
0.404
0.396
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BLF3G21-30,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-30112 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF3G21-6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-6,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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