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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | B80546PG0721M |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 2800 MHz, MICROPROCESSOR, CPGA478 |
| 封裝： | 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, MICRO PGA-478 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 72/80頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1845K |
| 代理商： | B80546PG0721M |
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75
XMEGA C3 [DATASHEET]
8361D–AVR–07/2013
35.11 Power-on Reset Characteristics
Table 35-16. Power-on reset characteristics.
Note:
1.
VPOT- values are only valid when BOD is disabled. When BOD is enabled VPOT- = VPOT+.
35.12 Flash and EEPROM Memory Characteristics
Table 35-17. Endurance and data retention.
Table 35-18. Programming time.
Notes:
1.
Programming is timed from the 2MHz internal oscillator.
2.
EEPROM is not erased if the EESAVE fuse is programmed.
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
VPOT- (1)
POR threshold voltage falling VCC
VCC falls faster than 1V/ms
0.4
1.0
V
VCC falls at 1V/ms or slower
0.8
1.3
VPOT+
POR threshold voltage rising VCC
1.3
1.59
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Flash
Write/Erase cycles
25°C
10K
Cycle
85°C
10K
Data retention
25°C
100
Year
55°C
25
EEPROM
Write/Erase cycles
25°C
100K
Cycle
85°C
100K
Data retention
25°C
100
Year
55°C
25
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.(1)
Max.
Units
Chip erase(2)
384KB Flash, EEPROM
130
ms
Flash
Page erase
4
Page write
4
Atomic page erase and write
8
EEPROM
Page erase
4
Page write
4
Atomic page erase and write
8
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