參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4F1Q
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式））
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大小： 364K
代理商： AS4C4M4F1Q
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F\FOH
Symbol Parameter
t
WCS
Write command setup time
t
WCH
Write command hold time
t
WP
Write command pulse width
t
RWL
Write command to RAS lead time
t
CWL
Write command to CAS lead time
t
DS
Data-in setup time
t
DH
Data-in hold time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
11
11
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10
10
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8
Max
–
–
–
–
–
–
–
Min
0
10
10
10
10
0
10
Max
–
–
–
–
–
–
–
12
12
Symbol Parameter
t
RWC
Read-write cycle time
t
RWD
RAS to WE delay time
t
CWD
CAS to WE delay time
t
AWD
Column address to WE delay time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
113
67
32
42
Max
–
–
–
–
Min
135
77
35
47
Max
–
–
–
–
11
11
11
Symbol Parameter
t
CSR
CAS setup time (CAS-before-RAS)
t
CHR
CAS hold time (CAS-before-RAS)
t
RPC
RAS precharge to CAS hold time
CAS precharge time
(CBR counter test)
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
Notes
3
3
Min
5
8
0
Max
–
–
–
Min
5
10
0
Max
–
–
–
t
CPT
10
10
–
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C4M4FOQ 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C4M4F1Q-50JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-50TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|28PIN|PLASTIC
AS4C4M4F1Q-60JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-60TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC
AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
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