參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4F1Q
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式））
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
文件大?。?/td> 364K
代理商： AS4C4M4F1Q
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F\FOH
Symbol Parameter
t
RC
Random read or write cycle time
t
RP
RAS precharge time
t
RAS
RAS pulse width
t
CAS
CAS pulse width
t
RCD
RAS to CAS delay time
t
RAD
RAS to column address delay time
t
RSH
CAS to RAS hold time
t
CSH
RAS to CAS hold time
t
CRP
CAS to RAS precharge time
t
ASR
Row address setup time
t
RAH
Row address hold time
t
T
Transition time (rise and fall)
t
REF
Refresh period
t
CP
CAS precharge time
t
RAL
Column address to RAS lead time
t
ASC
Column address setup time
t
CAH
Column address hold time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
Notes
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Max
–
–
10K
10K
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–
–
–
–
–
50
32/64
–
–
–
–
6
7
4,5
17/16
Symbol Parameter
t
RAC
Access time from RAS
t
CAC
Access time from CAS
t
AA
Access time from address
t
RCS
Read command setup time
t
RCH
Read command hold time to CAS
t
RRH
Read command hold time to RAS
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
6
6,13
7,13
Min
–
–
–
0
0
0
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–
Min
–
–
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0
0
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Max
60
15
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–
–
–
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C4M4FOQ 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AS4C4M4F1Q-60JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-60TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC
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