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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C4M4F1Q |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| 中文描述： | 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動態(tài)隨機存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | AS4C4M4F1Q |
#
$GYDQFH
#
LQIRUPDWLRQ
Copyright 1999 Alliance Semiconductor. All rights reserved.
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IDVWSDJH
#
PRGH
,
)HDWXUHV
Organization: 4,194,304 words × 4 bits
High speed
- 50/60 ns RAS access time
- 25/30 ns column address access time
- 12/15 ns CAS access time
Low power consumption
- Active: 495 mW max
- Standby:5.5 mW max, CMOS I/O
Fast page mode
Refresh
- 4096 refresh cycles, 64 ms refresh interval for
4C4M4FOQ
- 2048 refresh cycles, 32 ms refresh interval for
AS4C4M4F1Q
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh or self-refresh
TTL-compatible, three-state I/O
4 separate CAS pins allow for separate I/O operation
JEDEC standard package
- 300 mil, 28-pin SOJ
- 300 mil, 28-pin TSOP
Latch-up current
≥
200 mA
ESD protection
≥
2000 mV
3LQ
#
DUUDQJHPHQW
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
1
2
3
4
5
6
7
8
28
27
26
25
24
23
22
21
*NC/A11
CAS0
CAS1
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
SOJ
A
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
1
2
3
4
5
6
7
8
28
27
26
25
24
23
22
21
*NC/A11
CAS0
CAS1
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
TSOP
A
* NC on 2K refresh version; A11 on 4K refresh version
NC
3LQ
#
GHVLJQDWLRQ
Pin(s)
A0 to A11
RAS
CAS0 to CAS3
WE
I/O0 to I/O3
OE
V
CC
GND
Description
Address inputs
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
Input/output
Output enable
Power
Ground
6HOHFWLRQ
#
JXLGH
Symbol
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
4C4M4FOQ-50
AS4C4M4F1Q-50
50
25
12
13
85
20
90
1.0
4C4M4FOQ-60
AS4C4M4F1Q-60
60
30
15
15
100
24
80
1.0
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
Maximum RAS access time
Maximum column address access time
Maximum CAS access time
Maximum output enable (OE) access time
Minimum read or write cycle time
Minimum fast page mode cycle time
Maximum operating current
Maximum CMOS standby current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C4M4FOQ | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4LC1M16E5 | 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線)) |
| AS4LC1M16S1 | 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM) |
| AS4LC256K16EO | 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）) |
| AS4LC4M16S0 | 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F1Q-50JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F1Q-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|28PIN|PLASTIC |
| AS4C4M4F1Q-60JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F1Q-60TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC |
| AS4C512M16D3L-12BCN | 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR3L SDRAM 存儲容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標準包裝:190 |
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