參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4F1Q
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式））
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 364K
代理商： AS4C4M4F1Q
)24
$6
7
&
7
0
7
$6
7
&
7
0
7
)
4
4
$GYDQFH
#
LQIRUPDWLRQ
7
#
$//,$1&(
#
6(0,&21'8&725
','
#440633370
$
1#4257233
$EVROXWH
#
PD[LPXP
#
UDWLQJV
Parameter
Input voltage
Input voltage (DQs)
Power supply voltage
Storage temperature (plastic)
Soldering temperature × time
Power dissipation
Short circuit output current
'&
#
HOHFWULFDO
#
FKDUDFWHULVWLFV
Symbol
V
in
V
DQ
V
CC
T
STG
T
SOLDER
P
D
I
out
Min
-1.0
-1.0
-1.0
-55
–
–
–
Max
+7.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
260 × 10
1
50
Unit
V
V
V
°C
o
C × sec
W
mA
Parameter
Symbol Test conditions
0V
≤
V
in
≤
+5.5V,
Pins not under test = 0V
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Input leakage current
I
IL
-5
+5
-5
+5
μA
Output leakage
current
Operating power
supply current
TTL standby power
supply current
Average power supply
current, RAS refresh
mode or CBR
Fast page mode
average power supply
current
CMOS standby power
supply current
I
OL
D
OUT
disabled, 0V
≤
V
out
≤
+5.5V
-5
+5
-5
+5
μA
I
CC1
RAS, CAS Address cycling; t
RC
=min
–
110
–
100
mA
1,2
I
CC2
RAS = CAS
≥
V
IH
–
2.0
–
2.0
mA
I
CC3
RAS cycling, CAS
≥
V
IH
,
t
RC
= min of RAS low after XCAS
low.
–
110
–
100
mA
1
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS,
address cycling: t
HPC
= min
–
90
–
80
mA
1, 2
I
CC5
RAS = CAS = V
CC
- 0.2V
–
1.0
–
1.0
mA
Output voltage
V
OH
V
OL
I
OUT
= -5.0 mA
I
OUT
= 4.2 mA
2.4
–
–
2.4
–
–
V
V
0.4
0.4
CAS before RAS
refresh current
I
CC6
RAS, CAS cycling, t
RC
= min
–
110
–
100
mA
Self refresh current
I
CC7
RAS = UCAS = LCAS
≤
0.2V,
WE = OE
≥
V
CC
- 0.2V
all other inputs at 0.2V or
V
CC
- 0.2V
–
0.6
–
0.6
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C4M4FOQ 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C4M4F1Q-50JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-50TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|28PIN|PLASTIC
AS4C4M4F1Q-60JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-60TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC
AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
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